Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60NB900CP ROG

KEY Part #: K6416894

TSM60NB900CP ROG Preços (USD) [213558pcs Estoque]

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Número da peça:
TSM60NB900CP ROG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60NB900CP ROG Atributos do produto

Número da peça : TSM60NB900CP ROG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 315pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 36.8W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63