ON Semiconductor - ISL9R18120G2

KEY Part #: K6441630

ISL9R18120G2 Preços (USD) [26720pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.42082
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Número da peça:
ISL9R18120G2
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 18A 1200V Stealt
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor ISL9R18120G2 electronic components. ISL9R18120G2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R18120G2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ISL9R18120G2 Atributos do produto

Número da peça : ISL9R18120G2
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
Series : Stealth™
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 18A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 3.3V @ 18A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 70ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-2
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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