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  5. CDBDSC5650-G

Comchip Technology - CDBDSC5650-G

KEY Part #: K6441678

CDBDSC5650-G Preços (USD) [41564pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.94072
Número da peça:
CDBDSC5650-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrição detalhada:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Comchip Technology CDBDSC5650-G electronic components. CDBDSC5650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBDSC5650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC5650-G Atributos do produto

Número da peça : CDBDSC5650-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrição : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Atual - Média Retificada (Io) : 21.5A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F : 424pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-PAK (TO-252)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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