Infineon Technologies - IRD3CH53DB6

KEY Part #: K6442011

[3280pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRD3CH53DB6
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IRD3CH53DB6 electronic components. IRD3CH53DB6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRD3CH53DB6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRD3CH53DB6 Atributos do produto

    Número da peça : IRD3CH53DB6
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
    Atual - Média Retificada (Io) : 100A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 2.7V @ 100A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 270ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 1200V
    Capacitância @ Vr, F : -
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : Die
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
    Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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