[3280pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRD3CH53DB6
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRD3CH53DB6 electronic components. IRD3CH53DB6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRD3CH53DB6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRD3CH53DB6 Atributos do produto
Número da peça :
IRD3CH53DB6
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Atual - Média Retificada (Io) :
100A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
2.7V @ 100A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
270ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
2µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 150°C
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