FESB16DT-E3/81 Preços (USD) [84873pcs Estoque]
- 1 pcs$0.46070
- 800 pcs$0.42754
- Número da peça:
- FESB16DT-E3/81
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 200 Volt 35ns
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16DT-E3/81 electronic components. FESB16DT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16DT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESB16DT-E3/81 Atributos do produto
Número da peça :
FESB16DT-E3/81
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
16A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
975mV @ 16A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
175pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 150°C
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