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  5. CDBDSC8650-G

Comchip Technology - CDBDSC8650-G

KEY Part #: K6441547

CDBDSC8650-G Preços (USD) [26720pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.54245
Número da peça:
CDBDSC8650-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrição detalhada:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Comchip Technology CDBDSC8650-G electronic components. CDBDSC8650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBDSC8650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC8650-G Atributos do produto

Número da peça : CDBDSC8650-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrição : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Atual - Média Retificada (Io) : 25.5A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F : 550pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-PAK (TO-252)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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