GA10JT12-247 Preços (USD) [2103pcs Estoque]
- 1 pcs$10.16943
- 10 pcs$9.24469
- 25 pcs$8.55122
- 100 pcs$7.47449
- 250 pcs$6.81498
- Número da peça:
- GA10JT12-247
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição detalhada:
- TRANS SJT 1.2KV 10A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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GA10JT12-247 Atributos do produto
Número da peça :
GA10JT12-247
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrição :
TRANS SJT 1.2KV 10A
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
-
Tecnologia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
140 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
170W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AB
Pacote / caso :
TO-247-3
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