Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60NB900CH C5G

KEY Part #: K6416819

TSM60NB900CH C5G Preços (USD) [85799pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.45573

Número da peça:
TSM60NB900CH C5G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60NB900CH C5G Atributos do produto

Número da peça : TSM60NB900CH C5G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 315pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 36.8W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-251 (IPAK)
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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