Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J53FE(TE85L,F)

KEY Part #: K6406807

[1191pcs Estoque]


    Número da peça:
    SSM6J53FE(TE85L,F)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs and Transistores - Unijunction Programável ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM6J53FE(TE85L,F) Atributos do produto

    Número da peça : SSM6J53FE(TE85L,F)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 2.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 136 mOhm @ 1A, 2.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 4V
    Vgs (máx.) : ±8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 568pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ES6 (1.6x1.6)
    Pacote / caso : SOT-563, SOT-666

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