Toshiba Semiconductor and Storage - TPH6R004PL,LQ

KEY Part #: K6420896

TPH6R004PL,LQ Preços (USD) [284630pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.12995

Número da peça:
TPH6R004PL,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH6R004PL,LQ Atributos do produto

Número da peça : TPH6R004PL,LQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Series : U-MOSIX-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 87A (Ta), 49A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta), 81W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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