Toshiba Semiconductor and Storage - TPN3R704PL,L1Q

KEY Part #: K6417812

TPN3R704PL,L1Q Preços (USD) [409821pcs Estoque]

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  • 5,000 pcs$0.09573

Número da peça:
TPN3R704PL,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 80A TSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN3R704PL,L1Q Atributos do produto

Número da peça : TPN3R704PL,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Series : U-MOSIX-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 0.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 630mW (Ta), 86W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN