Vishay Siliconix - SI9933CDY-T1-GE3

KEY Part #: K6525362

SI9933CDY-T1-GE3 Preços (USD) [344842pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10726
  • 2,500 pcs$0.10093

Número da peça:
SI9933CDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI9933CDY-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI9933CDY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 665pF @ 10V
Potência - Max : 3.1W
Temperatura de operação : -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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