ON Semiconductor - FDB28N30TM

KEY Part #: K6392709

FDB28N30TM Preços (USD) [71985pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.01180
  • 10 pcs$0.91522
  • 100 pcs$0.73544

Número da peça:
FDB28N30TM
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FDB28N30TM electronic components. FDB28N30TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB28N30TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB28N30TM Atributos do produto

Número da peça : FDB28N30TM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Series : UniFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 129 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2250pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Você também pode estar interessado em