ON Semiconductor - 2SJ661-1E

KEY Part #: K6398120

2SJ661-1E Preços (USD) [39626pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.98672
  • 500 pcs$0.52991

Número da peça:
2SJ661-1E
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 38A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SJ661-1E Atributos do produto

Número da peça : 2SJ661-1E
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 60V 38A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 38A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4360pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-262-3
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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