Vishay Siliconix - VQ1001P-2

KEY Part #: K6523757

[4059pcs Estoque]


    Número da peça:
    VQ1001P-2
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix VQ1001P-2 electronic components. VQ1001P-2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VQ1001P-2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VQ1001P-2 Atributos do produto

    Número da peça : VQ1001P-2
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 4 N-Channel
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 830mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 15V
    Potência - Max : 2W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : -
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 14-DIP

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