ON Semiconductor - FCP190N60-GF102

KEY Part #: K6418221

FCP190N60-GF102 Preços (USD) [55513pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.70435

Número da peça:
FCP190N60-GF102
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V TO-220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP190N60-GF102 Atributos do produto

Número da peça : FCP190N60-GF102
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Series : SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 208W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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