EPC2018 Preços (USD) [2195pcs Estoque]
- 500 pcs$3.64426
- Número da peça:
- EPC2018
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
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EPC2018 Atributos do produto
Número da peça :
EPC2018
Fabricante :
EPC
Descrição :
GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 5V
Vgs (máx.) :
+6V, -5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Pacote / caso :
Die
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