IRF7832PBF Preços (USD) [13769pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.50005
- 100 pcs$0.39506
- 500 pcs$0.28981
- 1,000 pcs$0.22879
- Número da peça:
- IRF7832PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IRF7832PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF7832PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.32V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
51nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4310pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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