EPC2110ENGRT Preços (USD) [91507pcs Estoque]
- 1 pcs$0.45551
- 2,500 pcs$0.45324
- Número da peça:
- EPC2110ENGRT
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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EPC2110ENGRT Atributos do produto
Número da peça :
EPC2110ENGRT
Fabricante :
EPC
Descrição :
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Recurso FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.8nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
80pF @ 60V
Potência - Max :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
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