IAUS165N08S5N029ATMA1 Preços (USD) [42793pcs Estoque]
- 1 pcs$0.91372
- Número da peça:
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IAUS165N08S5N029ATMA1 electronic components. IAUS165N08S5N029ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUS165N08S5N029ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IAUS165N08S5N029ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IAUS165N08S5N029ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1
Series :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
165A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 108µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6370pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
167W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HSOG-8-1
Pacote / caso :
8-PowerSMD, Gull Wing
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