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  5. EFC6602R-TR

ON Semiconductor - EFC6602R-TR

KEY Part #: K6523359

EFC6602R-TR Preços (USD) [4191pcs Estoque]

  • 5,000 pcs$0.09984
Número da peça:
EFC6602R-TR
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH EFCP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor EFC6602R-TR electronic components. EFC6602R-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EFC6602R-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EFC6602R-TR Atributos do produto

Número da peça : EFC6602R-TR
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH EFCP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : -
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potência - Max : 2W
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-XFBGA, FCBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : EFCP2718-6CE-020

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