ON Semiconductor - FQB33N10LTM

KEY Part #: K6392675

FQB33N10LTM Preços (USD) [114369pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.32340
  • 800 pcs$0.30346

Número da peça:
FQB33N10LTM
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB33N10LTM Atributos do produto

Número da peça : FQB33N10LTM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1630pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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