NTMS4939NR2G Preços (USD) [209768pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17633
- 2,500 pcs$0.16749
- Número da peça:
- NTMS4939NR2G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTMS4939NR2G electronic components. NTMS4939NR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS4939NR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMS4939NR2G Atributos do produto
Número da peça :
NTMS4939NR2G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.4 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
800mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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