TSM055N03PQ56 RLG Preços (USD) [425213pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08699
- Número da peça:
- TSM055N03PQ56 RLG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TSM055N03PQ56 RLG Atributos do produto
Número da peça :
TSM055N03PQ56 RLG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1160pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
74W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PDFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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