Infineon Technologies - IRFP3306PBF

KEY Part #: K6415970

IRFP3306PBF Preços (USD) [27265pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.22162
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  • 500 pcs$0.76955
  • 1,000 pcs$0.64902

Número da peça:
IRFP3306PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP3306PBF Atributos do produto

Número da peça : IRFP3306PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4520pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 220W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AC
Pacote / caso : TO-247-3

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