ON Semiconductor - BS108G

KEY Part #: K6409269

[7954pcs Estoque]


    Número da peça:
    BS108G
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor BS108G electronic components. BS108G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS108G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BS108G Atributos do produto

    Número da peça : BS108G
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 250mA (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2V, 2.8V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 100mA, 2.8V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 350mW (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92-3
    Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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