PMPB55XNEAX Preços (USD) [13514pcs Estoque]
- 3,000 pcs$0.07081
- Número da peça:
- PMPB55XNEAX
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN2020MD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMPB55XNEAX electronic components. PMPB55XNEAX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMPB55XNEAX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMPB55XNEAX Atributos do produto
Número da peça :
PMPB55XNEAX
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN2020MD
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.25V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
255pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
550mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-DFN2020MD (2x2)
Pacote / caso :
6-UDFN Exposed Pad
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