Infineon Technologies - IRF8302MTRPBF

KEY Part #: K6419102

IRF8302MTRPBF Preços (USD) [91467pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.68043
  • 4,800 pcs$0.67705

Número da peça:
IRF8302MTRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 31A MX.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IRF8302MTRPBF electronic components. IRF8302MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8302MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8302MTRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF8302MTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 31A MX
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 31A (Ta), 190A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6030pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ MX
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric MX