NXP USA Inc. - PMV45EN,215

KEY Part #: K6415209

[12488pcs Estoque]


    Número da peça:
    PMV45EN,215
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMV45EN,215 Atributos do produto

    Número da peça : PMV45EN,215
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23
    Series : TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 30V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 280mW (Tj)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB (SOT23)
    Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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