Infineon Technologies - IRF7457TRPBF

KEY Part #: K6420127

IRF7457TRPBF Preços (USD) [162462pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.22767
  • 4,000 pcs$0.21853

Número da peça:
IRF7457TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7457TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF7457TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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