IPT020N10N3ATMA1 Preços (USD) [23384pcs Estoque]
- 1 pcs$1.76242
- 2,000 pcs$1.58464
- Número da peça:
- IPT020N10N3ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPT020N10N3ATMA1 electronic components. IPT020N10N3ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPT020N10N3ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPT020N10N3ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPT020N10N3ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
300A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 272µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
156nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
11200pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HSOF-8-1
Pacote / caso :
8-PowerSFN
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