IXFX120N30T Preços (USD) [9959pcs Estoque]
- 1 pcs$5.80402
- 10 pcs$5.22274
- 100 pcs$4.29418
- 500 pcs$3.59781
- Número da peça:
- IXFX120N30T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFX120N30T electronic components. IXFX120N30T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX120N30T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX120N30T Atributos do produto
Número da peça :
IXFX120N30T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
Series :
GigaMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
265nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
20000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
960W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS247™-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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