Nexperia USA Inc. - PMV120ENEAR

KEY Part #: K6421472

PMV120ENEAR Preços (USD) [595904pcs Estoque]

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Número da peça:
PMV120ENEAR
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V TO-236AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV120ENEAR Atributos do produto

Número da peça : PMV120ENEAR
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 123 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3