Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K337R,LF

KEY Part #: K6404855

SSM3K337R,LF Preços (USD) [603363pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06777
  • 3,000 pcs$0.06743

Número da peça:
SSM3K337R,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 38V 2A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K337R,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM3K337R,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 38V 2A
Series : U-MOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 38V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.7V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23F
Pacote / caso : SOT-23-3 Flat Leads

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