[13213pcs Estoque]
- Número da peça:
- SPD02N50C3
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPD02N50C3 electronic components. SPD02N50C3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD02N50C3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPD02N50C3 Atributos do produto
Número da peça :
SPD02N50C3
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
560V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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