ON Semiconductor - FQU2N50BTU-WS

KEY Part #: K6420814

FQU2N50BTU-WS Preços (USD) [262295pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.14102

Número da peça:
FQU2N50BTU-WS
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU2N50BTU-WS Atributos do produto

Número da peça : FQU2N50BTU-WS
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.3 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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