IXYS - IXFT6N100Q

KEY Part #: K6394032

IXFT6N100Q Preços (USD) [10367pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.59424
  • 30 pcs$4.57138

Número da peça:
IXFT6N100Q
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT6N100Q Atributos do produto

Número da peça : IXFT6N100Q
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 180W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268
Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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