IXYS - IXTA6N100D2

KEY Part #: K6397760

IXTA6N100D2 Preços (USD) [15330pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.95710
  • 10 pcs$2.64200
  • 100 pcs$2.16644
  • 500 pcs$1.75429
  • 1,000 pcs$1.47952

Número da peça:
IXTA6N100D2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA6N100D2 Atributos do produto

Número da peça : IXTA6N100D2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2650pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (IXTA)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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