IXYS - IXFR36N50P

KEY Part #: K6416067

IXFR36N50P Preços (USD) [11578pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.11398
  • 30 pcs$4.09352

Número da peça:
IXFR36N50P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR36N50P Atributos do produto

Número da peça : IXFR36N50P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
Series : HiPerFET™, PolarHT™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 156W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ISOPLUS247™
Pacote / caso : ISOPLUS247™

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