Número da peça :
IPD65R650CEATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Status da Peça :
Obsolete
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
86W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63