IRF7341PBF Preços (USD) [3768pcs Estoque]
- 1 pcs$0.42646
- 10 pcs$0.37713
- 100 pcs$0.28203
- 500 pcs$0.21872
- 1,000 pcs$0.17267
- Número da peça:
- IRF7341PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7341PBF electronic components. IRF7341PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7341PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7341PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF7341PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 25V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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