Infineon Technologies - SPI08N80C3

KEY Part #: K6401091

SPI08N80C3 Preços (USD) [8836pcs Estoque]

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  • 10 pcs$0.83244
  • 100 pcs$0.66888
  • 500 pcs$0.52025

Número da peça:
SPI08N80C3
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPI08N80C3 Atributos do produto

Número da peça : SPI08N80C3
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 470µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 104W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO262-3
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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