Infineon Technologies - IRFS4510TRLPBF

KEY Part #: K6418783

IRFS4510TRLPBF Preços (USD) [77610pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.50381
  • 800 pcs$0.43599

Número da peça:
IRFS4510TRLPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS4510TRLPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFS4510TRLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 61A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.9 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3180pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 140W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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