ON Semiconductor - NTLJF3117PT1G

KEY Part #: K6393733

NTLJF3117PT1G Preços (USD) [502748pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.07357

Número da peça:
NTLJF3117PT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLJF3117PT1G Atributos do produto

Número da peça : NTLJF3117PT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Series : µCool™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 531pF @ 10V
Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) : 710mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-WDFN (2x2)
Pacote / caso : 6-WDFN Exposed Pad

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