EPC - EPC2015C

KEY Part #: K6416896

EPC2015C Preços (USD) [40241pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.02047
  • 2,500 pcs$1.01539

Número da peça:
EPC2015C
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2015C Atributos do produto

Número da peça : EPC2015C
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 53A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 9mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 5V
Vgs (máx.) : +6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1180pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Pacote / caso : Die