EPC2015C Preços (USD) [40241pcs Estoque]
- 1 pcs$1.02047
- 2,500 pcs$1.01539
- Número da peça:
- EPC2015C
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in EPC EPC2015C electronic components. EPC2015C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2015C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EPC2015C Atributos do produto
Número da peça :
EPC2015C
Fabricante :
EPC
Descrição :
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
53A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 9mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.7nC @ 5V
Vgs (máx.) :
+6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1180pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Pacote / caso :
Die
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