Toshiba Semiconductor and Storage - TPHR8504PL,L1Q

KEY Part #: K6418930

TPHR8504PL,L1Q Preços (USD) [83500pcs Estoque]

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  • 5,000 pcs$0.47831

Número da peça:
TPHR8504PL,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPHR8504PL,L1Q Atributos do produto

Número da peça : TPHR8504PL,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Series : U-MOSIX-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 150A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9600pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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