IRFU1N60APBF Preços (USD) [55337pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.56318
- 100 pcs$0.44507
- 500 pcs$0.32651
- 1,000 pcs$0.25777
- Número da peça:
- IRFU1N60APBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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IRFU1N60APBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFU1N60APBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
229pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
36W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-251AA
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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