Texas Instruments - CSD19538Q2T

KEY Part #: K6411702

CSD19538Q2T Preços (USD) [200982pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.18403
  • 250 pcs$0.17639
  • 1,250 pcs$0.10963

Número da peça:
CSD19538Q2T
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19538Q2T Atributos do produto

Número da peça : CSD19538Q2T
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 454pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-WSON (2x2)
Pacote / caso : 6-WDFN Exposed Pad

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