[4179pcs Estoque]
- Número da peça:
- EPC2101ENG
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in EPC EPC2101ENG electronic components. EPC2101ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2101ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EPC2101ENG Atributos do produto
Número da peça :
EPC2101ENG
Fabricante :
EPC
Descrição :
GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 30V
Potência - Max :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
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