Infineon Technologies - IPD50R280CEAUMA1

KEY Part #: K6419606

IPD50R280CEAUMA1 Preços (USD) [120962pcs Estoque]

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  • 2,500 pcs$0.24972

Número da peça:
IPD50R280CEAUMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50R280CEAUMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPD50R280CEAUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 550V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 350µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 32.6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 773pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 119W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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